@article{190,标题={电子签名的单链DNA在纳米孔单基地突变电容},体积={17}={2006},页面= {3160 {\ textendash} 3165},文摘= {

在本文中,我们评估基因易位产生的电信号的大小通过1 \ nm直径纳米孔在电容器膜数值多尺度方法,并评估解决单个核苷酸的可能性以及它们的类型没有构象的障碍。我们显示的最大记录电压引起的DNA易位是大约35 \ mV,而最大电压信号由于DNA骨干大约30 \ mV,和DNA基地的最大电压约为8 \ mV。信号从单个核苷酸可以确定电压跟踪记录,建议1 \纳米孔隙直径在一个电容器可以用来准确地计算DNA链的核苷酸。此外,我们研究单个碱基替换的影响电压跟踪,并计算电压之间的差异痕迹由于单个碱基突变的序列C3交流7C3CC7C3GC7和C3TC7。计算电压的差异是在5 {\ textendash} 10 \ mV范围。计算最大电压造成的个别基地从2到9的易位\ mV,实验检测。

},doi ={10.1088 / 0957 - 4484/17/13/014},作者={玛丽亚·e·Gracheva带领和阿列克谢Aksimentiev jean - pierre Leburton}}