我们有探索DNA的机电特性利用电场力单发夹分子可能促使通过合成氮化硅膜的孔隙。我们观察一个阈值电压的易位发夹通过敏感依赖的孔隙直径和二级结构的DNA。直径1.5的门槛< d < 2.3 nm是V > 1.5 V,这对应于所需的力拉伸杆的发夹,根据分子动力学模拟。另一方面,为1.0 < d < 1.5 nm, V < 0.5 V的阈值电压崩溃,因为杆解压缩比要求拉伸力较低。数据表明,合成纳米孔可以使用像分子门区分DNA的二级结构。
},关键词={生物运输、DNA、电导率、膜、人工、模型、分子、纳米结构、核酸构象,硅化合物},issn = {1362 - 4962}, doi = {10.1093 / nar / gkm1017},作者={赵,Q和杰弗里•卡莫和季米特洛夫Valentin Yemenicioglu年代和阿列克谢Aksimentiev和格里高利Timp}}