@article{68,标题={机电的DNA合成纳米孔},杂志= {Biophys J},体积={90}={2006},月={2006 2月1},页面={1098 - 106},文摘= {

我们已经探索DNA的机电性能在纳米范围内利用电场力单分子通过合成纳米孔在超薄氮化硅膜。在低电场E < 200 mV / 10海里,我们观察到,单链DNA可以渗透到毛孔直径> / = 1.0海里,而双链DNA只有渗透到毛孔直径> / = 3海里。毛孔< 3.0 nm直径,我们发现的渗透阈值取决于电场和双链DNA博士2 nm直径孔,电场阈值大约3.1 V / 10 nm pH = 8.5;阈值降低pH值酸化或直径增加。分子动力学表明,场阈值来源于伸展过渡在DNA发生力梯度纳米孔。降低pH值撼动了双螺旋结构,促进DNA易位在较低的领域。

},关键词={生物物理学、计算机模拟、DNA,电化学,电磁场,电泳,电泳、琼脂凝胶,氢离子浓度、离子膜电位、显微镜、电子传输模型、分子、纳米结构、纳米技术、核酸构象,聚合酶链反应,孔隙度、硅化合物,时间因素},issn ={0006 - 3495},作者doi = {10.1529 / biophysj.105.070672} = {Jiunn B亨和阿列克谢Aksimentiev Ho, C和帕特里克标志和叶莲娜V Grinkova年代Sligar和克劳斯舒尔腾Gregory Timp}}