@article{69,标题={延伸DNA合成纳米孔中使用电场},杂志={纳米列托人},体积={5}={2005},月={2005年10月},页面={1883 - 8},文摘= {

DNA在段的力学性能与此种网站的大小(3 - 10海里)检查使用electric-field-induced易位的单分子通过纳米孔直径。DNA,沉浸在电解质,通过合成毛孔从0.5到1.5在半径10 nm厚Si (3) N(4)膜使用电场。占拉伸和弯曲,我们使用分子动力学模拟易位。我们发现易位的阈值,取决于孔隙的尺寸和应用跨膜的偏见。电压阈值伴随着伸展过渡60 pN附近发生在双链DNA。

},关键词= {DNA、纳米技术、静电、压力、机械},issn ={1530 - 6984},作者doi = {10.1021 / nl0510816} = {Jiunn B恒和阿列克谢Aksimentiev村Ho和帕特里克是叶莲娜V Grinkova年代Sligar和克劳斯舒尔腾Gregory Timp}}