% 0期刊文章% D 2006% T突变电子签名的单链DNA碱基在纳米孔电容器%玛丽亚大肠Gracheva带领%一个jean - pierre Leburton阿列克谢Aksimentiev % % X

在本文中,我们评估基因易位产生的电信号的大小通过1 nm直径纳米孔在电容器膜数值多尺度方法,并评估解决单个核苷酸的可能性以及它们的类型没有构象的障碍。我们显示的最大记录电压引起的DNA易位是大约35 mV,而最大电压信号由于DNA骨干大约30 mV,和DNA基地的最大电压约为8 mV。信号从单个核苷酸可以确定电压跟踪记录,建议1纳米孔隙直径在一个电容器可以用来准确地计算DNA链的核苷酸。此外,我们研究单个碱基替换的影响电压跟踪,并计算电压之间的差异痕迹由于单个碱基突变的序列C3交流7C3CC7C3GC7和C3TC7。计算电压的差异是在5 - 10 mV的范围内。计算最大电压造成的个别基地从2到9的易位mV,实验检测。

17% % V P 3160 - 3165 R % G eng % 10.1088 / 0957 - 4484/17/13/014