% 0期刊文章% J Nano % D 2005% T拉伸DNA合成纳米孔中使用电场% B Jiunn亨%阿列克谢Aksimentiev %一个村Ho %帕特里克标志着叶莲娜V Grinkova % % S Sligar %克劳斯舒尔腾% Gregory Timp % K DNA % K纳米技术% K静电% K压力、机械% X

DNA在段的力学性能与此种网站的大小(3 - 10海里)检查使用electric-field-induced易位的单分子通过纳米孔直径。DNA,沉浸在电解质,通过合成毛孔从0.5到1.5在半径10 nm厚Si (3) N(4)膜使用电场。占拉伸和弯曲,我们使用分子动力学模拟易位。我们发现易位的阈值,取决于孔隙的尺寸和应用跨膜的偏见。电压阈值伴随着伸展过渡60 pN附近发生在双链DNA。

% B纳米列托人% V P 1883 - 8 % 5% 8 2005年10月% G eng % N R 10.1021 / nl0510816 10%