让·皮埃尔·勒伯顿（Jean-Pierre Leburton）

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教育

• 博士学位，理论固态物理学1978

传

当前位置：

Gregory Stilllman电气和计算机工程教授，UIUC

物理教授。UIUC

UIUC协调员科学实验室研究教授

UIUC的F. Seitz材料研究实验室研究教授

UIUC的微技术研究教授

学术经验：

2008年 - 伊利诺伊大学物理学教授现任

2003年 - 现任伊利诺伊大学电气和计算机工程学教授Gregory Stillman教授

2000年瑞士瑞士联邦技术学院访问教授

1992年东京大学客座教授

1991年伊利诺伊大学至上教授

1987 - 1991年伊利诺伊大学副教授

1983 - 1987年伊利诺伊大学助理教授

1981 - 1983年伊利诺伊大学客座助理教授

学术职位

• 芝加哥伊利诺伊大学兼职教授，2011年至今
• Frederic Seitz材料研究教授研究实验室，2008年至今
• 物理学教授（0％），2008年至今
• Gregory Stillman电气和计算机工程教授，2003年至今
• Ecole Polytechnique Federale de Lausanne（EPFL），瑞士洛桑，2000年
• 日立有限公司量子材料主席，东京大学的客座教授，1992年
• 电气和计算机工程教授，1991年至今
• 研究教授，协调科学实验室，1991年至今

其他教学活动

• 从根本上修改了所需课程的“固态电子”，被称为ECE 340，以使ECE初级学生更容易获得

研究声明

让·皮埃尔·勒伯顿（Jean-Pierre Leburton）获得博士学位。1978年，他是列吉大学（比利时）。他是UIUC电气和计算机工程系的教授，也是协调科学实验室的研究教授。他还是贝克曼学院计算电子集团的专职教师。

勒堡教授的专业知识是纳米级半导体设备和低维系统的理论和模拟。他的研究更专门针对半导体纳米结构（例如量子井，量子线和量子点）的传输和光学过程。当前的研究项目涉及用于高性能激光器的自组装点的电子性能，量子点中的单电子充电和自旋效应，纳米晶体浮动栅极闪存闪存设备的建模，纳米级SI MOSFET以及碳纳米管和碳纳米管和石墨烯纳米结构。他的研究还涉及涉及中和远红外频段内激光器中纳米结构中电子相互作用的耗散机制。解决这些问题的方法涉及使用复杂的数值技术，例如蒙特 - 卡洛模拟和高级3D自一致的Schroedinger-poisson模型，包括非平衡运输进行全尺度的Nanodevice建模。在过去的18年中，他将自己的兴趣转向了互动在生活系统和半导体之间，以纳米电子学调查编程和传感生物分子。

研究兴趣

• 半导体设备的理论，纳米结构的建模和模拟，异质结构和低维系统的电子和光学性质，量子结构和碳基纳米结构的运输，电子性质，量子点和纳米晶体中的充电效应，纳米结构中的自旋效应，量子计算，量子计算，量子效应和量子信息处理，纳米生物技术。

编辑或共编的书籍（原始版本）

• 让·皮埃尔·勒伯顿（Jean-Pierre Leburton
• 让·皮埃尔·勒伯顿（Jean-Pierre Leburton
• S. Bandyopadhyay，M。Cahay和J.P. Leburton“半导体Spintronics中的当代主题”，世界科学出版公司，新加坡（2017）
• M. Cahay，M。Urquidi-Macdonald，S。Bandyopadhyay，P。Guo，H。Hasegawa，N。Koshida，J.P。Leburton，D.J。Lockwood，S。Seal和A. Stella在“纳米级设备，材料和生物系统：基本原理和应用程序”的国际研讨会上，电化学学会第206届会议，Honolulu，PV 2004-13，Publ。电化学社会。
• M. Cahay，J.P。Leburton，D。J。Lockwood，S。Bandyopadhyay，N。Koshida和M. Zacharias“高级发光材料和量子限制II”，PV 2002-2009，出版商Electerer Electochemical Society，2002年。
• M. Cahay，J.P。Leburton，D.J。Lockwood，S。Bandyopadhyay和J.S.Harris，《量子限制VI：纳米结构的材料和设备》，与PV 2001-19，出版商电化学学会，2001年。
• M. Cahay，S。Bandyopadhyay，J.P。Leburton，D。J。Lockwood，N。Koshida，M。Meyyapan和T. Sakamoto“高级发光材料和量子限制”，PV 99-22，出版商电化学学会，1999年。
• M. Cahay，D。Lockwood，J.P。Leburton和S. Bandyopadhyay，第五届国际量子限制研讨会：纳米结构，出版商电化学学会，1998年。
• M. Cahay，J。Leburton，D。Lockwood和S. Bandyopadhyay，第四届国际量子限制研讨会：纳米级材料，设备和系统，PV 97-11，出版商电化学学会，1997年。
• G. Abstreiter，A。Aydinli和J. Leburton，低维半导体的光谱，北约ASI，E系列E，344 Ankara，Turkey，Turkey，Kluwer学术出版商，1997年。
• K. Ismail，S。Bandyopadhyay和J. Leburton，《量子设备和电路》，世界科学，新加坡，1996年。
• K. Hess，J.P。Leburton和U. Ravaiol，第九届国际半导体国际载体会议论文集（HCIS-9），伊利诺伊州芝加哥，1995年。Plenum1996。
• S. Bandyopadhyay，M。Cahay，J.P。Leburton和M. Razeghi，“第三届国际量子限制研讨会论文集：量子线和点”，电化学学会第188届会议，芝加哥，芝加哥，1995年，1995年，PV 95-17，公开。电化学社会。（1996）
• M. Cahay，S。Bandyopadhyay，J.P。Leburton，A。W。Kleinsasser和M. A. Osman，第二届国际量子限制研讨会论文集：物理与应用，第185届电化学学会会议，旧金山旧金山，加利福尼亚州，加利福尼亚，1994年。
• J. Leburton，J。Pascual和C. Sotomayor-Torres，半导体纳米结构中的声子，北约ARW，克鲁维尔出版公司，1993年。
• K. Hess，U。Ravaioli和J. Leburton，计算电子Kluwer出版公司，1990年。