机电的DNA的合成纳米孔

Jiunn b·亨阿列克谢Aksimentiev C Ho Patrick标志叶莲娜诉Grinkova Sligar,克劳斯舒尔腾,格里高利Timp
Biophys J90 (3)1098 - 106 (2006)
DOI:10.1529 / biophysj.105.070672PMID:16284270助理

我们已经探索DNA的机电性能在纳米范围内利用电场力单分子通过合成纳米孔在超薄氮化硅膜。在低电场E < 200 mV / 10海里,我们观察到,单链DNA可以渗透到毛孔直径> / = 1.0海里,而双链DNA只有渗透到毛孔直径> / = 3海里。对于毛孔