拉伸DNA合成纳米孔中使用电场

Jiunn b·亨,阿列克谢Aksimentiev村Ho Patrick标志叶莲娜诉Grinkova Sligar,克劳斯舒尔腾,格里高利Timp
纳米列托人5 (10)1883 - 8 (2005)
DOI:10.1021 / nl0510816PMID:16218703助理

DNA在段的力学性能与此种网站的大小(3 - 10海里)检查使用electric-field-induced易位的单分子通过纳米孔直径。DNA,沉浸在电解质,通过合成毛孔从0.5到1.5在半径10 nm厚Si (3) N(4)膜使用电场。占拉伸和弯曲,我们使用分子动力学模拟易位。我们发现易位的阈值,取决于孔隙的尺寸和应用跨膜的偏见。电压阈值伴随着伸展过渡60 pN附近发生在双链DNA。